型號(hào): | MWI50-12A5 |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | IGBT Modules Sixpack |
中文描述: | 60 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
封裝: | MODULE-17 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/4頁(yè) |
文件大小: | 121K |
代理商: | MWI50-12A5 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MWI50-12A7 | IGBT Modules Sixpack |
MWI50-12A7T | IGBT Modules Sixpack |
MWI75-06A7 | MWI75-06A7 |
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MWS5101A | 256-Word x 4-Bit LSI Static RAM(1K大規(guī)模集成電路靜態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MWI50-12A7 | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
MWI50-12A7T | 功能描述:IGBT 模塊 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
MWI50-12E6K | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
MWI50-12E7 | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
MWI50-12T7T | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |