參數(shù)資料
型號： MWI450-17E9
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 540 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-29
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 289K
代理商： MWI450-17E9
2004 IXYS All rights reserved
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416
Advanced Technical Information
MWI 450-17 E9
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
=
tolerance for all dimensions:
相關PDF資料
PDF描述
MWI50-12AS 52 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MWI35-12AS 37 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MWI75-12AS 73 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MWT-10GN KA BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET
MWT-10SN KA BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MWI451-17E9 功能描述:IGBT 模塊 6-PK IGBT MODULE IN E9-PK 1700V 475A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MWI45-12T6K 功能描述:分立半導體模塊 45 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
MWI50-06A7 功能描述:分立半導體模塊 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
MWI50-06A7T 功能描述:IGBT 模塊 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MWI50-12A5 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:IGBT Modules Sixpack
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