參數(shù)資料
型號： MW7IC2425NR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-270, CASE 1886-01, WB, 16 PIN
文件頁數(shù)： 20/21頁
文件大?。?/td> 835K
代理商： MW7IC2425NR1
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MW7IC2425NR1 MW7IC2425GNR1 MW7IC2425NBR1
Zo = 50 Ω
Zload
Zsource
f = 2450 MHz
VDD = 28 Vdc, IDQ1 = 55 mA, IDQ2 = 195 mA, Pout = 25 W CW
f
MHz
Zsource
W
Zload
W
2450
32 - j6.256
6.2 - j1.17
Zsource = Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 12. Series Equivalent Source and Load Impedance — Narrowband
Z source
Z load
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MW7IC2425GNR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MX10F202FC 8-BIT, OTPROM, 16 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100
MX10L8050FC 8-BIT, MROM, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP44
MX10L8050PC 8-BIT, MROM, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP40
MX9691 8 Mbps, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PQFP128
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MW7IC2725GNR1 功能描述:射頻放大器 HV7 2700MHZ4W TO270WB16G RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MW7IC2725N 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MW7IC2725NBR1 功能描述:射頻放大器 HV7 2700MHZ 4W TO272WB16 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MW7IC2725NR1 功能描述:射頻放大器 HV7 2700MHZ 4W TO270WB16 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MW7IC2725NR1_10 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
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