參數(shù)資料
型號(hào): MW7IC2240GNR1
廠商: 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述: RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
中文描述: 射頻LDMOS寬帶集成功率放大器
文件頁數(shù): 20/24頁
文件大?。?/td> 825K
代理商: MW7IC2240GNR1
20
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MW7IC2240NR1 MW7IC2240GNR1 MW7IC2240NBR1
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PDF描述
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參數(shù)描述
MW7IC2240NBR1 功能描述:射頻放大器 2170MHZ 4W TO272WB16 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
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MW7IC2425GNR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2400MHZ 4W TO270WB16G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MW7IC2425NBR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2400MHZ 4W TO270WB16G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MW7IC2425NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2400MHZ 4W TO270WB16G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray