參數(shù)資料
型號(hào)： MV104RLRAG
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 變?nèi)荻O管
英文描述： 39.5 pF, 32 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92
封裝： CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 118K
代理商： MV104RLRAG
MV104
http://onsemi.com
1029
TYPICAL CHARACTERISTICS (Each Diode)
Figure 1. Diode Capacitance (Each Diode)
100
70
40
20
10
1.0
10
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
C T
,DIODE
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
Figure 2. Figure of Merit versus Voltage
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. Figure of Merit versus Frequency
f, FREQUENCY (MHz)
Q,
FIGURE
OF
MERIT
0
550
350
50
6.0
30
Q,
FIGURE
OF
MERIT
2000
10
500
100
20
30
70
200
VR = 3.0 Vdc
TA = 25°C
f = 100 MHz
20
50
100
300
1000
200
50
7.0
2.0 3.0
5.0
Figure 4. Diode Capacitance versus Temperature
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
C T
,DIODE
CAP
ACIT
ANCE
(NORMALIZED)
1.04
-75
1.02
1.00
0.98
0.96
-25
+25
+75
+125
4.0 V
-50
0
+50
+100
Figure 5. Reverse Current versus Reverse Voltage
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
I R
,REVERSE
CURRENT
(nA)
10
0
2
0.5
0.1
0.01
10
20
30
TA = 125°C
5.0
15
25
5
1
0.2
0.05
450
250
150
12
18
24
1.03
NORMALIZED to CT
at TA = 25°C
VR = 2.0 V
0.02
TA = 75°C
TA = 25°C
20
30
0.5
0.3
3.0
27
9.0
15
21
30 V
1.01
0.99
0.97
100
20
50
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PDF描述
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