參數(shù)資料
型號: MURS160-E3/2CT
廠商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類: 整流器
英文描述: 2 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA
封裝: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 91K
代理商: MURS160-E3/2CT
Document Number 88688
13-Jul-06
www.vishay.com
3
MURS140 & MURS160
Vishay General Semiconductor
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Leakage Characteristics
InstantaneousForward Voltage (V)
0.01
0.1
10
1
80
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
Instantaneo
u
sF
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
0
Tj = 100 °C
Tj = 175 °C
Tj = 25 °C
60
040
20
100
80
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
0.001
0.01
1
0.1
10
100
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
Leakage
C
u
rrent
(
A)
Tj = 100 °C
Tj = 175 °C
Tj = 25 °C
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
0.1
1
10
100
Tj = 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig = 50 mVp-p
0.180 (4.57)
0.160 (4.06)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.008 (0.2)
0.220 (5.59)
0.205 (5.21)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.155 (3.94)
0.130 (3.30)
0.086 (2.20)
0.077 (1.95)
0.096 (2.44)
0.084 (2.13)
DO-214AA (SMB)
0 (0)
Cathode Band
0.085 MAX.
(2.159 MAX.)
0.220 REF
0.086 MIN.
(2.18 MIN.)
0.060 MIN.
(1.52 MIN.)
Mounting Pad Layout
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PDF描述
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MURS320 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB
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MV1405 250 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-204AA
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參數(shù)描述
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