參數(shù)資料
型號： MUN5237DW1T1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管)
中文描述： 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CASE 419B-02, SC-88, 6 PIN
文件頁數(shù)： 4/21頁
文件大?。?/td> 139K
代理商： MUN5237DW1T1
MUN5211DW1T1 Series
http://onsemi.com
4
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 10 mA, I
B
= 0.3 mA)
MUN5211DW1T1, G
MUN5212DW1T1, G
MUN5213DW1T1, G
MUN5214DW1T1, G
MUN5235DW1T1, G
MUN5236DW1T1, G
MUN5230DW1T1, G
MUN5231DW1T1, G
MUN5237DW1T1, G
MUN5215DW1T1, G
MUN5216DW1T1, G
MUN5232DW1T1, G
MUN5233DW1T1, G
MUN5234DW1T1, G
(I
C
= 10 mA, I
B
= 5 mA)
(I
C
= 10 mA, I
B
= 1 mA)
V
CE(sat)
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
Vdc
Output Voltage (on)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V, R
L
= 1.0 k )
MUN5211DW1T1, G
MUN5212DW1T1, G
MUN5214DW1T1, G
MUN5215DW1T1, G
MUN5216DW1T1, G
MUN5230DW1T1, G
MUN5231DW1T1, G
MUN5232DW1T1, G
MUN5233DW1T1, G
MUN5234DW1T1, G
MUN5235DW1T1, G
MUN5213DW1T1, G
MUN5236DW1T1, G
MUN5237DW1T1, G
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V, R
L
= 1.0 k )
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 5.5 V, R
L
= 1.0 k )
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 4.0 V, R
L
= 1.0 k )
4. Pulse Test: Pulse Width < 300 s, Duty Cycle < 2.0%
V
OL
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
Vdc
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PDF描述
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MUN5313DW1T1 Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管)
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MUR110 SWITCHMODE Power Rectifiers(開關(guān)模式功率整流管)
MUR105 SWITCHMODE Power Rectifiers(開關(guān)模式功率整流管)
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參數(shù)描述
MUN5237DW1T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5237T1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5237T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5238 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Digital Transistors (BRT) R1 = 2.2 k, R2 =  k
MUN5238T1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NPN DIGITAL TRANSISTOR (B - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
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