參數(shù)資料
型號: MUN2211
廠商: ON SEMICONDUCTOR
英文描述: NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
中文描述: NPN硅偏置電阻晶體管
文件頁數(shù): 8/12頁
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代理商: MUN2211
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Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL APPLICATIONS FOR NPN BRTs
LOAD
+12 V
Figure 22. Level Shifter: Connects 12 or 24 Volt Circuits to Logic
IN
OUT
VCC
ISOLATED
LOAD
FROM
μ
P OR
OTHER LOGIC
+12 V
Figure 23. Open Collector Inverter: Inverts the Input Signal
Figure 24. Inexpensive, Unregulated Current Source
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MUN2212 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN2212T1 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN2213 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN22xxT1 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MUN2211_09 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:NPN Silicon Bias Resistor Transistor
MUN2211JT1 功能描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
MUN2211JT1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR NPN 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2211RT1 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor
MUN2211T1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel