參數(shù)資料
型號: MUN2130T1
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
中文描述: 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù): 6/10頁
文件大?。?/td> 236K
代理商: MUN2130T1
6
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN2113T1
V
I
h
Figure 12. VCE(sat) versus IC
1000
100
101
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
TA= 75
°
C
25
°
C
–25
°
C
Figure 13. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
0.010
10
20
30
40
IC/IB= 10
VC
Figure 14. Output Capacitance
Figure 15. Output Current versus Input Voltage
100
10
1
0.1
0.01
0.0010
10
25
°
C
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
–25
°
C
50
0
10
20
30
40
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Figure 16. Input Voltage versus Output Current
100
10
1
0.10
10
20
30
40
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
TA= –25
°
C
25
°
C
75
°
C
50
TA= –25
°
C
75
°
C
25
°
C
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25
°
C
VO = 5 V
TA= 75
°
C
VO = 0.2 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MUN2112T1 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN2113T1 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN2132T1 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN2133T1 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN2134T1 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MUN2130T1 WAF 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MUN2130T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2131 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon
MUN2131RT1 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor
MUN2131T1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel