參數(shù)資料
型號(hào): MUN2130T1
廠商: MOTOROLA INC
元件分類(lèi): 小信號(hào)晶體管
英文描述: PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
中文描述: 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù): 4/10頁(yè)
文件大?。?/td> 236K
代理商: MUN2130T1
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN2111T1
V
I
h
Figure 2. VCE(sat) versus IC
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0
TA= –25
°
C
25
°
C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Figure 3. DC Current Gain
Figure 4. Output Capacitance
Figure 5. Output Current versus Input Voltage
Figure 6. Input Voltage versus Output Current
0.01
20
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
0.1
1
0
40
60
80
1000
1
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
TA= 75
°
C
100
10
0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.1
1
10
100
10
20
30
40
50
TA= –25
°
C
75
°
C
VO = 0.2 V
75
°
C
IC/IB = 10
50
0
10
20
30
40
4
3
1
2
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
0
TA= –25
°
C
25
°
C
75
°
C
25
°
C
VCE = 10 V
VO = 5 V
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25
°
C
–25
°
C
25
°
C
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