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參數(shù)資料
| 型號： | MUN2115T1 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 236K |
| 代理商： | MUN2115T1 |
6
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN2113T1
V
I
h
Figure 12. VCE(sat) versus IC
1000
100
101
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
TA= 75
°
C
25
°
C
–25
°
C
Figure 13. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
0.010
10
20
30
40
IC/IB= 10
VC
Figure 14. Output Capacitance
Figure 15. Output Current versus Input Voltage
100
10
1
0.1
0.01
0.0010
10
25
°
C
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
–25
°
C
50
0
10
20
30
40
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Figure 16. Input Voltage versus Output Current
100
10
1
0.10
10
20
30
40
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
TA= –25
°
C
25
°
C
75
°
C
50
TA= –25
°
C
75
°
C
25
°
C
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25
°
C
VO = 5 V
TA= 75
°
C
VO = 0.2 V
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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