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參數(shù)資料
| 型號： | MUN2115T1 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 3/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 236K |
| 代理商： | MUN2115T1 |
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Continued)
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Output Voltage (off) (VCC = 5.0 V, VB = 0.5 V, RL = 1.0 k
)
(VCC = 5.0 V, VB = 0.050 V, RL = 1.0 k
) MUN2130T1
(VCC = 5.0 V, VB = 0.25 V, RL = 1.0 k
)
MUN2115T1
MUN2116T1
MUN2131T1
MUN2132T1
VOH
4.9
—
—
Vdc
Input Resistor
MUN2111T1
MUN2112T1
MUN2113T1
MUN2114T1
MUN2115T1
MUN2116T1
MUN2130T1
MUN2131T1
MUN2132T1
MUN2133T1
MUN2134T1
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
k
Resistor Ratio
MUN2111T1/MUN2112T1/MUN2113T1
MUN2114T1
MUN2115T1/MUN2116T1
MUN2130T1/MUN2131T1/MUN2132T1
MUN2133T1
MUN2134T1
R1/R2
0.8
0.17
—
0.8
0.055
0.38
1.0
0.21
—
1.0
0.1
0.47
1.2
0.25
—
1.2
0.185
0.56
Figure 1. Derating Curve
250
200
150
100
50
0–50
0
TA, AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
50
100
150
P
R
θ
JA = 625
°
C/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN2116T1 | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| MUN2130T1 | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| MUN2112T1 | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| MUN2113T1 | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| MUN2132T1 | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN2115T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN2116 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN2116RT1 | 制造商:ETL 制造商全稱:E-Tech Electronics LTD 功能描述:Bias Resistor Transistor |
| MUN2116T1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN2116T1G | 功能描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
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