參數(shù)資料
型號(hào)： MUBW4-12A6
英文描述： TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | COMPLEX BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 3.6A I(C)
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|絡(luò)合物橋| 1.2KV五（巴西）國際消費(fèi)電子展| 3.6AI（丙）
文件頁數(shù)： 7/8頁
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代理商： MUBW4-12A6
1999 IXYS All rights reserved
7-8
MUBW 4-12 A6
Typ. switching times
1
10
100
1000
50
150
250
350
450
Rg(Ohm)
t
td(off)
tf(off)
td(on)
tr(on)
Typ. switching losses
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
50
150
250
350
450
Rg(Ohm)
E
E(off25°C)
E(off125°C)
E(on25°C)
E(on125°C)
IGBT
Z
thJH
[K/W]
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t (s)
D = 0
D = 0.005
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.5
Typ. switching times
1
10
100
1000
0.75
1.25
1.75
2.25
2.75
I(A)
t
td(off)
tf(off)
td(on)
tr(on)
Typ. switching losses
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0.75
1.25
1.75
2.25
2.75
I(A)
E
E(off25°C)
E(off125°C)
E(on25°C)
E(on125°C)
Output Inverter T1 - T6
Transient thermal resistance junction to heatsink
I
C
= 1.5 A
V
CE
= 600 V
T
VJ
= 125°C
R
G
= 250
V
CE
= 600 V
T
VJ
= 125°C
R
G
= 250
V
CE
= 600 V
I
C
= 1.5 A
V
CE
= 600 V
(Z
is measured using 50 μm
thermal grease)
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參數(shù)描述
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MUBW50-06A8 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
MUBW50-12A8 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
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