參數(shù)資料
型號(hào)： MUBW4-12A6
英文描述： TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | COMPLEX BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 3.6A I(C)
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|絡(luò)合物橋| 1.2KV五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 3.6AI（丙）
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 269K
代理商： MUBW4-12A6
1999 IXYS All rights reserved
1-8
Rectifier
Brake
Inverter
V
RRM
I
FAVM
I
FSM
= 1600V
= 11 A
= 250 A
V
CES
I
C25
V
CE(sat)
= 2.8 V
= 1200 V
= 3.6 A
V
CES
I
C25
V
CE(sat)
= 2.8 V
= 1200 V
= 3.6 A
MUBW 4-12 A6
Preliminary data
Converter - Brake - Inverter Module
(CBI1)
Features
G
NPT IGBT technology
Square RBSOA, no latchup
G
Free wheeling diodes with Hiperfast
and soft recovery behaviour
G
Isolation voltage 2500 V~
G
Built in temperature sense
G
High level of integration:
one module for complete drive
system
G
D
irect
C
opper
B
onded Al
2
O
3
ceramic
base plate
Applications
G
AC motor control
G
AC servo and robot drives
Advantages
G
No need of external isolation
G
Easy to mount with two screws
G
Package designed for wave
soldering
G
High temperature and power cycling
capability
Input Rectifier Bridge D8 - D13
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
V
RRM
1600
V
I
F
T
VJ
= 25°C
36
A
I
FAVM
T
VJ
= 150°C; T
K
= 70°C
11
A
I
FSM
i2t
T
VJ
= 45°C; t = 10 ms sine 50 Hz
T
VJ
= 125°C
250
A
310
A2s
T
VJ
+150
°C
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
VJ
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
I
R
V
RRM
= 1200 V; T
VJ
= 25°C
10
μA
mA
T
VJ
= 125°C
3
V
F
I
F
= 36 A
1.15
1.4
V
R
thJC
per die
1.4
°C/W
9
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
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