參數(shù)資料
型號: MUBW30-06A7
英文描述: Industrial Control IC
中文描述: 工業(yè)控制IC
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大?。?/td> 189K
代理商: MUBW30-06A7
2001 IXYS All rights reserved
5 - 8
MUBW 30-06 A7
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FSM
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d(AV)
T
C
A
V
°
C
°
C
DWFN17-16
Z
thJC
T
VJ
= 125
°
C
T
VJ
= 25
°
C
T
VJ
= 45
°
C
T
VJ
= 125
°
C
T
VJ
= 45
°
C
T
VJ
= 125
°
C
50Hz, 80% V
RRM
R
thA
:
0.05 K/W
0.15 K/W
0.3 K/W
0.5 K/W
1 K/W
2 K/W
5 K/W
Fig. 4 Power dissipation versus direct output current and ambient temperature, sin
1
8
0
°
Fig. 5 Max. forward current versus
case temperature
Fig. 6 Transient thermal impedance junction to case
Fig. 1 Forward current versus voltage
drop per diode
Fig. 2 Surge overload current
Fig. 3 I
2
t
versus time per diode
Input Rectifier Bridge D11 - D16
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參數(shù)描述
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MUBW30-12A6K 功能描述:分立半導體模塊 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
MUBW30-12E6K 功能描述:分立半導體模塊 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
MUBW35-06A6 功能描述:MODULE IGBT CBI E1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
MUBW35-06A6K 功能描述:分立半導體模塊 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: