參數(shù)資料
型號(hào)： MTW32N20E
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： TMOS POWER FET 32 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.075 OHM
中文描述： 32 A, 200 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AE
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
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代理商： MTW32N20E
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
EA
t, TIME (ms)
Figure 13. Thermal Response
1
10
1000
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
1
10
100
1000
A
I
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
r
(
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.1
025
50
75
100
125
R
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
R
θ
JC = 0.7
°
C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
D = 0.5
0.2
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
100
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25
°
C
750
450
300
150
ID = 32 A
600
0.1
10
μ
s
.1
1
10
dc
200
20
2
0.2
2
20
200
0.2
0.02
0.002
0.02
0.2
2
20
200
150
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTW32N25 TMOS POWER FET 32 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 0.08 OHM
MTW32N25E TMOS POWER FET 32 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 0.08 OHM
MTW35N15E TMOS POWER FET 35 AMPERES 150 VOLTS RDS(on) = 0.05 OHM
MUN2111T1 TIP, CONICAL SHARP 0.4MM
MUN2131T1 Bias Resistor Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MTW32N20EG 功能描述:MOSFET NFET T0247 200V 32A 75mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MTW32N25 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 32 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 0.08 OHM
MTW32N25E 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 32 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 0.08 OHM
MTW33N10E 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 33 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.06 OHM
MTW35N15E 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 35 AMPERES 150 VOLTS RDS(on) = 0.05 OHM
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