參數資料
型號： MTSF1P02HDR2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 1800 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： MICRO-8
文件頁數： 7/12頁
文件大?。?/td> 283K
代理商： MTSF1P02HDR2
MTSF1P02HD
http://onsemi.com
4
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
0
1.2
1.6
0.4
2
0.8
0
0.4
0.8
2
0
1.2
1.6
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. OnRegion Characteristics
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
0.4
0.8
1.2
1.6
2
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
VGS, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
02
4
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
0
0.5
1
1.5
2
0.1
0.16
0.18
VGS, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. OnResistance versus
GateToSource Voltage
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. OnResistance versus Drain Current
and Gate Voltage
0
2.0
1
100
1000
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. DrainToSource Leakage
Current versus Voltage
I DSS
,LEAKAGE
(nA)
TJ = 25°C
VDS ≥ 10 V
TJ = 100°C
25
°C
55
°C
TJ = 25°C
VGS = 0 V
VGS = 4.5 V
ID = 1.8 A
TJ = 25°C
4.5 V
VGS = 2.7 V
ID = 1.8 A
1.2
2.7 V
2 V
1.8 V
1.6 V
0.4
1.6
68
2.7 V
50
25
0
25
50
75
100
125
150
TJ = 125°C
2
0.14
0.5
0.8
1.0
1.5
04
8
12
20
1.7 V
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.12
10
100
°C
1.9 V
1.5 V
1.4 V
25
°C
16
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