參數(shù)資料
型號： MTP3055V
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 12 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 202K
代理商： MTP3055V
MTP3055V
http://onsemi.com
6
SAFE OPERATING AREA
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (°C)
E AS
,SINGLE
PULSE
DRAINT
OSOURCE
Figure 12. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
0.1
10
100
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 13. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
AV
ALANCHE
ENERGY
(mJ)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
25
50
75
100
125
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25°C
ID = 12 A
1.0
150
t, TIME (s)
Figure 14. Thermal Response
r(t)
,NORMALIZED
EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
RθJC(t) = r(t) RθJC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) TC = P(pk) RθJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
Figure 15. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
1.0
100
0.1
0
75
25
10
1.0
0.1
0.01
0.2
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.1
1.0E05
1.0E04
1.0E03
1.0E02
1.0E01
1.0E+00
1.0E+01
dc
100 μs
1 ms
10 ms
10 μs
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
50
0.02
175
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTP3055VG 12 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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MTP3055VL 功能描述:MOSFET 60V Single N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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