- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄98046 > MTD4N20E (ON SEMICONDUCTOR) 4 A, 200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MTD4N20E |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 4 A, 200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 369D, DPAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/12頁(yè) |
| 文件大小： | 259K |
| 代理商： | MTD4N20E |
MTD4N20E
http://onsemi.com
11
PACKAGE DIMENSIONS
DPAK
CASE 369D01
ISSUE O
12
3
4
V
S
A
K
T
SEATING
PLANE
R
B
F
G
D 3 PL
M
0.13 (0.005)
T
C
E
J
H
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.235
0.245
5.97
6.35
B
0.250
0.265
6.35
6.73
C
0.086
0.094
2.19
2.38
D
0.027
0.035
0.69
0.88
E
0.018
0.023
0.46
0.58
F
0.037
0.045
0.94
1.14
G
0.090 BSC
2.29 BSC
H
0.034
0.040
0.87
1.01
J
0.018
0.023
0.46
0.58
K
0.350
0.380
8.89
9.65
R
0.180
0.215
4.45
5.45
S
0.025
0.040
0.63
1.01
V
0.035
0.050
0.89
1.27
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
Z
0.155
3.93
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTD4N20E1 | 4 A, 200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD4N20E-1 | 4 A, 200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD9N10ET4 | 9 A, 100 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD9N10E | 9 A, 100 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD9N10EG | 9 A, 100 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MTD4N20E1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MTD4N20ET4 | 制造商:Motorola 功能描述:4N20 MOT'96 SMT/REEL |
| MTD4P05 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MTD4P06 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MTD5010M | 制造商:MARKTECH 制造商全稱:Marktech Corporate 功能描述:Ultra High Speed Photo Diode |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。