參數(shù)資料
型號(hào)： MTD3055VT4
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： 12 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 206K
代理商： MTD3055VT4
MTD3055V
3
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
0
1
2
3
4
5
0
8
16
24
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On–Region Characteristics
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
2
4
6
8
10
0
8
16
24
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0
8
12
16
20
24
0
0.1
0.2
0.3
R
DS(on)
,DRAIN–T
O–SOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
0
4
8
16
20
24
0.08
0.09
0.11
0.13
0.15
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On–Resistance versus Drain Current
and Temperature
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
0
20
30
40
50
60
1
10
100
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain–To–Source Leakage
Current versus Voltage
R
DS(on)
,DRAIN–T
O–SOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
I DSS
,LEAKAGE
(nA)
TJ = 25°C
VDS ≥ 10 V
TJ = – 55°C
25
°C
100
°C
– 55
°C
VGS = 10 V
9 V
8 V
7 V
6 V
5 V
4 V
4
12
20
3
5
7
9
4
12
20
TJ = 25°C
VGS = 10 V
25
°C
4
0.05
0.15
0.25
VGS = 10 V
15 V
12
0.1
0.12
0.14
VGS = 0 V
TJ = 125°C
10
TJ = 100°C
R
DS(on)
,DRAIN–T
O–SOURCE
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
– 50
0.6
0.8
1.2
1.6
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
– 25
0
25
50
75
100
125
150
VGS = 10 V
ID = 6 A
1.0
1.4
175
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PDF描述
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