參數(shù)資料
型號： MTD20P03HDL1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 19 A, 30 V, 0.099 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 369D-01, DPAK-3
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 89K
代理商： MTD20P03HDL1
MTD20P03HDL
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
I DSS
,LEAKAGE
(nA)
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
VGS, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
03
25
14
0
8
16
24
40
Figure 1. OnRegion Characteristics
0
8
24
32
40
Figure 2. Transfer Characteristics
0
8
16
28
40
0.06
0.08
0.12
0.14
0.16
0.06
0.08
0.12
0.16
Figure 3. OnResistance versus Drain Current
and Temperature
Figure 4. OnResistance versus Drain Current
and Gate Voltage
0.8
0.9
1.0
1.1
1.3
1
100
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
Figure 6. DrainToSource Leakage
Current versus Voltage
32
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
5.5
VDS ≥ 5 V
100
°C
25
°C
0.10
VGS = 5 V
55
°C
25
°C
016
32
40
0.14
0.10
50
25
0
25
50
75
100
125
150
1.2
0
4
12
28
32
20
VGS = 0 V
TJ = 125°C
TJ = 55°C
TJ = 100°C
TJ = 25°C
VGS = 5 V
ID = 10 A
1.5
2.5
3.5
4.5
10
824
16
VGS = 10 V
8 V
6 V
2.5 V
3 V
TJ = 25°C
4 V
3.5 V
4.5 V
5 V
100
°C
16
412
24
36
12
28
36
20
32
8
24
420
10 V
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PDF描述
MTD20P03HDLT4 19 A, 30 V, 0.099 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD20P03HDLG 19 A, 30 V, 0.099 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD20P06HDLT4G 15 A, 60 V, 0.175 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD20P06HDLG 15 A, 60 V, 0.175 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD20P06HDLT4 15 A, 60 V, 0.175 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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MTD20P03HDLT4 功能描述:MOSFET P-CH 30V 19A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
MTD20P06 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 15 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 175 MOHM
MTD20P06HDL 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET P LOGIC D-PAK
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