參數(shù)資料
型號(hào)： MTD1N60ET4
廠(chǎng)商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 1 A, 600 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 369A-13, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 7/10頁(yè)
文件大小： 233K
代理商： MTD1N60ET4
MTD1N60E
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
SAFE OPERATING AREA
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (°C)
E AS
,SINGLE
PULSE
DRAINNT
OSOURCE
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
0.1
1
1000
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
0.1
10
AV
ALANCHE
ENERGY
(mJ)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.001
0
25
50
75
100
125
10
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25°C
50
ID = 1 A
1
100
150
t,TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
r(t)
,NORMALIZED
EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
RθJC(t) = r(t) RθJC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) TC = P(pk) RθJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
40
30
20
1
0.1
0.01
1.0E05
1.0E04
1.0E03
1.0E02
1.0E01
1.0E+00
1.0E+01
D = 0.5
0.2
0.1
0.01
SINGLE PULSE
0.01
10 s
100 s
1 ms
10 ms
dc
10
0.02
0.05
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MTD20N03HDLG 20 A, 30 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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