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參數(shù)資料
| 型號： | MTB75N06HD |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TMOS POWER FET 75 AMPERES 60 VOLTS |
| 中文描述： | 75 A, 60 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 342K |
| 代理商： | MTB75N06HD |
7
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
r
(
t, TIME (s)
Figure 14. Thermal Response
0.1
1.0
0.01
1.0E–05
0.1
0.2
0.02
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
R
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
Figure 15. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
0
0.5
1
1.5
2.0
2.5
3
25
50
75
100
125
150
TA, AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
P
Figure 16. D2PAK Power Derating Curve
R
θ
JA = 50
°
C/W
Board material = 0.065 mil FR–4
Mounted on the minimum recommended footprint
Collector/Drain Pad Size
≈
450 mils x 350 mils
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTB75N06 | TMOS POWER FET 75 AMPERES 60 VOLTS |
| MTB9N25E | TMOS POWER FET 9.0 AMPERES 250 VOLTS |
| MTD2955V | TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.230 OHM |
| MTD2955V | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| MTD2N50 | POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE DPAK FOR SURFACE MOUNT OR INSERTION MOUNT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MTB7671 | 制造商:Megger 功能描述:METER TEST BOX |
| MTB-7PL80 | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:MTB-7PL80 / 095262-0006 / MICRO |
| MTB-7SL80 | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:MTB-7SL80 - Bulk |
| MTB8N50E | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| MTB90P06J3 | 制造商:CYSTEKEC 制造商全稱:Cystech Electonics Corp. 功能描述:P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET |
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