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參數(shù)資料
| 型號： | MT4C1M16E5DJ-6 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | EDO DRAM |
| 中文描述： | EDO公司的DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 22/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 385K |
| 代理商： | MT4C1M16E5DJ-6 |
22
1 Meg x 16 EDO DRAM
D52_B.p65 – Rev. B; Pub. 3/01
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc
16Mb: 1 MEG x16
EDO DRAM
SELF REFRESH CYCLE
(Addresses and OE# = DON’T CARE)
V
IL
RAS#
tRASS
OPEN
V
IL
V
OL
DQ
tRPC
tCHD
tRPS
tRPC
tRP
tCP
CASH#
tWRH
tWRP
WE#
V
IL
tWRH
tWRP
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
NOTE 1
tCSR
DON’T CARE
UNDEFINED
tCP
NOTE 2
(
)
(
)
(
)
(
)
TIMING PARAMETERS
-5
-6
SYMBOL
t
CHD
t
CLCH
t
CP
t
CSR
t
RASS
MIN
15
5
8
5
100
MAX
MIN
15
5
10
5
100
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
μs
-5
-6
SYMBOL
t
RP
t
RPC
t
RPS
t
WRH
t
WRP
MIN
30
5
90
8
8
MAX
MIN
40
5
105
10
10
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
NOTE:
1. Once
t
RASS (MIN) is met and RAS# remains LOW, the DRAM will enter self refresh mode.
2. Once
t
RPS is satisfied, a complete burst of all rows should be executed.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT4LC1M16E5DJ-6S | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5 | EDO DRAM |
| MT4C4256 | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(標準或低功率，擴展刷新，256K x 4動態(tài)RAM) |
| MT4C4256L | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(標準或低功率，擴展刷新，256K x 4動態(tài)RAM) |
| MT4LC16M4T8TG-5 | DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT4C1M16E5TG-5 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:EDO DRAM |
| MT4C1M16E5TG-6 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:EDO DRAM |
| MT4C2M8B1DJ-6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT4C2M8E7DW-6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:2M X 8 EDO DRAM, 60 ns, PDSO28 |
| MT4C40004 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:4 MEG x 4 DRAM |
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