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參數(shù)資料
| 型號： | MT49H8M32 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 元件分類： | 熱敏電阻 |
| 英文描述： | THERMISTOR PTC 100OHM 120DEG RAD |
| 中文描述： | 低延遲DRAM延遲DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 30/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 652K |
| 代理商： | MT49H8M32 |
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30
256: x16, x32 RLDRAM
MT49H8M32_3.p65 – Rev. 3, Pub. 6/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
256Mb: x16, x32
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, 1.8V V
DD
Q, RLDRAM
REFRESH TIMING
NOTE:
1. Bank scheduled refresh.
2. Refresh cycle to be issued on closed bank.
3. Bank address from controller, row address generated internally.
CK/CK#
DQS,
DQS#
CS#, AS#,
REF#
DQ
RL = 5 tCK
tRC = 8 tCK
tRFC = tRC
Q0
RB5
RB6
RB7
RF0
RB1
RB2
RB3
RB4
RB5
RB6
RB7
RF0
RB1
RB2
RB3
RB4
RB5
Q1
Q3
Q2
Q5
Q4
Q7
Q6
Q1
Q3
Q2
Q5
Q4
Q7
Q6
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT49H8M32FM | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| MT4C1M16E5DJ-6 | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5DJ-6S | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5 | EDO DRAM |
| MT4C4256 | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(標準或低功率，擴展刷新，256K x 4動態(tài)RAM) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT49H8M32BM-33 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:8MX32 RLDRAM PLASTIC PBF FBGA 1.8V - Trays |
| MT49H8M32FM | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| MT49H8M32FM-33 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
| MT49H8M32FM-33 TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:8MX32 RLDRAM PLASTIC FBGA 1.8V COMMON I/O 8 BANKS 1.8V I/O - Tape and Reel |
| MT49H8M32FM-4 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
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