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參數(shù)資料
| 型號： | MT49H8M32 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 元件分類： | 熱敏電阻 |
| 英文描述： | THERMISTOR PTC 100OHM 120DEG RAD |
| 中文描述： | 低延遲DRAM延遲DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 24/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 652K |
| 代理商： | MT49H8M32 |
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24
256: x16, x32 RLDRAM
MT49H8M32_3.p65 – Rev. 3, Pub. 6/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
256Mb: x16, x32
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, 1.8V V
DD
Q, RLDRAM
READ TIMING
(BL = 2)
NOTE:
1. Starting with all banks closed, 8 banks cyclic access.
2. 2-bit prefetch, BL = 2.
3. Read latency (RL) programmable.
4. CS# = 1 deactivates command inputs. DQS and DQS# not affected.
CK/CK#
DQS,
DQS#
DVLD
CS#, AS#, REF#
A[19:0], BA[2:0]
DQ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
RL = 5 tCK
tRC = 8 tCK
initial
Q0a
Q0b
Q0a
RB0
RB1
RB2
RB3
RB4
RB5
RB6
RB7
RB0
Q1b
Q1a
Q2b
Q2a
Q3b
Q3a
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT49H8M32FM | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| MT4C1M16E5DJ-6 | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5DJ-6S | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5 | EDO DRAM |
| MT4C4256 | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(標(biāo)準(zhǔn)或低功率，擴(kuò)展刷新，256K x 4動態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT49H8M32BM-33 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:8MX32 RLDRAM PLASTIC PBF FBGA 1.8V - Trays |
| MT49H8M32FM | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| MT49H8M32FM-33 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
| MT49H8M32FM-33 TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:8MX32 RLDRAM PLASTIC FBGA 1.8V COMMON I/O 8 BANKS 1.8V I/O - Tape and Reel |
| MT49H8M32FM-4 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
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