- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385639 > MT49H16M16 (Micron Technology, Inc.) THERMISTOR PTC 100OHM 110DEG RAD PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MT49H16M16 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 元件分類： | 熱敏電阻 |
| 英文描述： | THERMISTOR PTC 100OHM 110DEG RAD |
| 中文描述： | 低延遲DRAM延遲DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 36/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 652K |
| 代理商： | MT49H16M16 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁當前第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁
36
256: x16, x32 RLDRAM
MT49H8M32_3.p65 – Rev. 3, Pub. 6/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
256Mb: x16, x32
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, 1.8V V
DD
Q, RLDRAM
CK/CK#
CMD
WB7
RB0
NOP
RB1
NOP
RB2
NOP
RB3
NOP
RB4
NOP
DQS
DQ
D6b
D6a
D6d
D6c
Q0b
Q0a
Q0d
Q0c
Q1a
D7b
D7a
D7d
D7c
tCKDQS
CMD
RB0
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
WB1
NOP
WB2
DQS
DQ
Q4d
Q4c
Q5b
Q5a
D1a
Q5d
Q5c
Q6b
Q6a
Q6d
Q6c
Q7b
Q7a
Q7d
Q7c
Q0b
Q0a
Q0d
Q0c
tCKDQS
WRITE/READ AND READ/WRITE TIMING, CYCLIC BANK ACCESS
(RL = 6, BL = 4, WL = 2)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT49H16M16FM | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| MT49H8M32 | THERMISTOR PTC 100OHM 120DEG RAD |
| MT49H8M32FM | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| MT4C1M16E5DJ-6 | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5DJ-6S | EDO DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT49H16M16BM-4 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:512MB 64MX72 DDR SDRAM MODULE PBF DIMM 2.5V REGISTERED - Trays |
| MT49H16M16FM | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| MT49H16M16FM-33 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
| MT49H16M16FM-33 TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:16MX16 RLDRAM PLASTIC FBGA 1.8V COMMON I/O 8 BANKS 1.8V I/O - Tape and Reel |
| MT49H16M16FM-4 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144FBGA - Trays |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。