- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄385639 > MT49H16M16 (Micron Technology, Inc.) THERMISTOR PTC 100OHM 110DEG RAD PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT49H16M16 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 元件分類(lèi)： | 熱敏電阻 |
| 英文描述： | THERMISTOR PTC 100OHM 110DEG RAD |
| 中文描述： | 低延遲DRAM延遲DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 26/43頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 652K |
| 代理商： | MT49H16M16 |
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26
256: x16, x32 RLDRAM
MT49H8M32_3.p65 – Rev. 3, Pub. 6/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
256Mb: x16, x32
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, 1.8V V
DD
Q, RLDRAM
WRITE TIMING
(BL = 2, RL = 6)
NOTE:
1. DQS and DQS# are not relevant during WRITE cycles.
2. Starting with all banks closed, 8 banks cyclic access.
3. Write latency WL = RL - BL/2 - 2 = 3.
CK/CK#
CS#, AS#,
REF#, A[19:0],
BA[2:0], DM[1:0]
DQ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
tRC = 8 tCK
D0b
D0a
WB0
WB1
WB2
WB3
WB4
WB5
WB6
WB7
WB0
D1b
D1a
D2b
D2a
D3b
D3a
D4b
D4a
D5b
D5a
D6b
D6a
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT49H16M16FM | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| MT49H8M32 | THERMISTOR PTC 100OHM 120DEG RAD |
| MT49H8M32FM | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| MT4C1M16E5DJ-6 | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5DJ-6S | EDO DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT49H16M16BM-4 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:512MB 64MX72 DDR SDRAM MODULE PBF DIMM 2.5V REGISTERED - Trays |
| MT49H16M16FM | 制造商:MICRON 制造商全稱(chēng):Micron Technology 功能描述:REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| MT49H16M16FM-33 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
| MT49H16M16FM-33 TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:16MX16 RLDRAM PLASTIC FBGA 1.8V COMMON I/O 8 BANKS 1.8V I/O - Tape and Reel |
| MT49H16M16FM-4 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144FBGA - Trays |
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