參數(shù)資料
型號(hào)： MT28C128564W18EFW-F706-P706KBTWT
元件分類： 存儲(chǔ)器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA77
封裝： FBGA-77
文件頁數(shù)： 12/15頁
文件大?。?/td> 158K
代理商： MT28C128564W18EFW-F706-P706KBTWT
128Mb MULTIBANK BURST FLASH
32Mb/64Mb BURST CellularRAM COMBO
PRELIMINARY
09005aef80b10a55
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
MT28C128564W18E_B.fm - Rev. B, Pub 11/03 EN
6
2003 Micron Technology. Inc.
Figure 2: Flash Memory Map
NOTE:
Figure 2 shows a TB (top/bottom) dual Flash configuration.
Parameter
Blocks –
Top Boot
F_CE2#/F_OE2#
controlled upper address space
(64Mb to 128Mb)
Main
Parameter
Blocks –
Bottom Boot
F_CE1#/F_OE1#
controlled lower address space
(0Mb to 64Mb)
Main
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MT28F640J3BS-12MET 4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 120 ns, PBGA64
MT29F4G08FABWGXXXXET 512M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO48
MT2LSYT3272T1G-11P 32K X 72 CACHE SRAM MODULE, 11 ns, DMA160
MT2LSYT3272T1G-12P 32K X 72 CACHE SRAM MODULE, 12 ns, DMA160
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