參數資料
型號： MSS39,045-P55
元件分類： 射頻混頻器
英文描述： SILICON, KU BAND, MIXER DIODE
封裝： HERMETIC SEALED, CERAMIC, CASE P55, 2 PIN
文件頁數： 2/4頁
文件大?。?/td> 161K
代理商： MSS39,045-P55
Revision Date: 05/20/05
MSS39,000 Series
P-Type Silicon Schottky Diodes
2
Aeroex / Metelics, Inc.
www.aeroex-metelics.com
Model
V
BR
MIN
V
F
TYP
V
C
J
MAX
pF
T
SS
TYP
dBm
γ
TYP
mV / mW
Frequency
MAX
GHz
Outline
MSS39,144-B10B
3.5
0.38
0.08
-58
5,000
40
B10B
MSS39,146-B10B
3.5
0.38
0.10
-58
5,000
26
B10B
MSS39,148-B10B
3.5
0.39
0.12
-58
5,000
18
B10B
MSS39,152-B10B
3.5
0.38
0.18
-58
5,000
12
B10B
Test
Conditions
I
R = 10
R
μA
I
F = 1mA
V
R = 0 V
R
F = 1 MHz
DC Bias = 10 μA
F = 10 GHz
R
L = 100 KΩ
Video BW = 2 MHz
Beam Lead
Electrical Specifications, T
A = 25 C
Model
V
BR
MIN
V
F
TYP
V
C
T
MAX
pF
T
SS
TYP
dBm
γ
TYP
mV / mW
Frequency
MAX
GHz
Outline
MSS39,045-P55
5.0
0.40
0.25
-58
5000
18
P55
MSS39,045-P86
5.0
0.40
0.27
-58
5000
18
P86
MSS39,048-P55
5.0
0.39
0.30-58
5000
12
P55
MSS39,048-P86
5.0
0.39
0.32-58
5000
12
P86
MSS39,148-E25
3.5
0.39
0.22
-58
5000
18
E25
MSS39,148-H20
3.5
0.39
0.30
-58
5000
12
H20
MSS39,152-E25
3.5
0.38
0.28
-58
5000
12
E25
MSS39,152-H20
3.5
0.38
0.36
-58
5000
18
H20
Test
Conditions
I
R = 10
R
μA
I
F = 1mA
V
R = 0 V
R
F = 1 MHz
DC Bias = 10 μA
F = 10 GHz
R
L = 100 KΩ
Video BW = 2 MHz
Packaged
Electrical Specifications, T
A = 25 C
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PDF描述
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