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參數(shù)資料
| 型號： | MSM54C865-80 |
| 廠商： | OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
| 英文描述： | 65,536-Word X 8-Bit Multiport DRAM |
| 中文描述： | 65,536字× 8位多端口內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 42/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 479K |
| 代理商： | MSM54C865-80 |
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MSM54C865
Semiconductor
42/44
POWER-UP
Power must be applied to the
RAS
and
DT
/
OE
input signals to pull them "high" before or at
the same time as the V
CC
supply is turned on. After power-up, a pause of 200
m
s minimum is
required with
RAS
and
DT
/
OE
held "high". After the pause, a minimum of 8
RAS
and 8 SC
dummy cycles must be performed to stabilize the internal circuitry, before valid read, write or
transfer operations can begin. During the initialization period, the
DT
/
OE
signal must be held
"high". If the internal refresh counter is used, a minimum 8
CAS
before
RAS
cycles are required
instead of 8
RAS
cycles.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSM54C865-80JS | 65,536-Word X 8-Bit Multiport DRAM |
| MSM54C865-80ZS | 65,536-Word X 8-Bit Multiport DRAM |
| MSM54V12222A | 262,214 Words x 12 Bits FIELD MEMORY |
| MSM54V12222B | 262,214-Word 】 12-Bit Field Memory |
| MSM54V12222B-20JS | 262,214-Word 】 12-Bit Field Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MSM54V12222A-30TS-K | 制造商:OKI Semiconductor 功能描述:FIELD/FRAME/LINE MEMORY, 44 Pin, Plastic, TSOP |
| MSM54V12222B-25JDR17 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| MSM54V12222B-25JSDR1 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| MSM54V12222B-25T3-K7 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| MSM54V12222B-25T3R17 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
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