型號: | MSD601-R |
廠商: | MOTOROLA INC |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | CASE 318D-03, SC-59, 3 PIN |
文件頁數: | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 35K |
代理商: | MSD601-R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MSA1022-B | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MSD601-S | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MSC2404-CT1 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MSC2404-CT3 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MSC4001 | C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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MSD601RT1 | 制造商:ON SEMI 功能描述:New |
MSD-601RT1 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount |
MSD601-RT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MSD-601RT1G | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount |
MSD601-RT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |