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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MSD601-S |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | CASE 318D-03, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 35K |
| 代理商： | MSD601-S |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSC2404-CT1 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MSC2404-CT3 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MSC4001 | C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MSC80064 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MSC80186 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MSD-601ST1 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount |
| MSD601-ST1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MSD-601ST1G | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount |
| MSD601-ST1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MSD602 | 制造商:ETL 制造商全稱:E-Tech Electronics LTD 功能描述:NPN General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount |
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