采購需求
(若只采購一條型號,填寫一行即可)*型號 | *數(shù)量 | 廠商 | 批號 | 封裝 |
---|---|---|---|---|
|
添加更多采購
型號: | MS1006 |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
封裝: | 0.380 INCH, PLASTIC, M135, 4 PIN |
文件頁數(shù): | 4/4頁 |
文件大?。?/td> | 85K |
代理商: | MS1006 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
MS1007 | HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
MS1020 | Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
MS1076 | VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
MS1077 | HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
MS1078 | HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
MS-100637 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Tactile Switches (SMT) |
MS1007 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MS1007 - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN 150 W 55 V 30 MHz Flange Mount RF Microwave Discrete Transistor - M-174 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
MS1008 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
MS-100811 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Sealed Sub-Miniature Rocker Switch |
MS1009 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
*型號 | *數(shù)量 | 廠商 | 批號 | 封裝 |
---|---|---|---|---|
|