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參數資料
| 型號： | MS1006 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | 0.380 INCH, PLASTIC, M135, 4 PIN |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | MS1006 |
Microsemi
RF Products Division
140 Commerce Drive, Montgomeryville PA 18936, (215) 631-9840, Fax: (215) 631-9855
Page 3
Copyright
2000
MSCXXXX.PDF 2000-11-06
WWW.
M
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MS1006
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
PRODUCT PREVIEW
R F P R O D UCT S DI VI SI ON
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MS1007 | HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| MS1020 | Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| MS1076 | VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| MS1077 | HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| MS1078 | HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MS-100637 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Tactile Switches (SMT) |
| MS1007 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MS1007 - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN 150 W 55 V 30 MHz Flange Mount RF Microwave Discrete Transistor - M-174 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
| MS1008 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| MS-100811 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Sealed Sub-Miniature Rocker Switch |
| MS1009 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
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