參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35010R1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-360HF, CASE 360D-02, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/11頁(yè)
文件大?。?/td> 367K
代理商： MRFG35010R1
MRFG35010R1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
NOTE: All data is referenced to package lead interface. ΓS and ΓL are the impedances presented to the DUT.
All data is generated from load pull, not from the test circuit shown.
1
9.5
13.5
13
12.5
12
11.5
11
10.5
10
0.1
0
80
Gps
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 3. Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
η
D
η
D
70
60
50
40
30
20
10
VDS = 12 Vdc, IDQ = 180 mA
f = 3.55 GHz, 8.5 dB P/A 3GPP WCDMA
ΓS = 0.857é144.24_, ΓL = 0.798é164.30_
10
70
0
0.1
70
0
IRL
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 4. W-CDMA ACPR and Input Return Loss
versus Output Power
ACPR
(dBc)
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
10
20
30
40
50
60
1
VDS = 12 Vdc, IDQ = 180 mA
f = 3.55 GHz, 8.5 dB P/A 3GPP WCDMA
ΓS = 0.857é144.24_, ΓL = 0.798é164.30_
25
36
5
0
60
Pout
VDS = 12 Vdc, IDQ = 180 mA
f = 3.55 GHz, 8.5 dB P/A 3GPP WCDMA
ΓS = 0.857é144.24_, ΓL = 0.798é164.30_
Pin, INPUT POWER (dBm)
Figure 5. W-CDMA Output Power and Drain
Efficiency versus Input Power
34
32
45
30
28
30
26
24
15
22
20
10
15
20
P out
,
OUTPUT
POWER
(dBm)
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
η
D
η
D
LIFETIME
BUY
LAST
ORDER
8
DEC
07
LAST
SHIP
8
JUN
08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFG35010 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35030R5 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35030R5 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MSA1022-CT1 UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MSA1022-CT3 UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRFG35010R5 功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35020AR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 3.5GHZ 20W GAAS NI360 SH RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFG35020AR5 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 20W GAAS NI360 SH RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類(lèi)型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35030R5 功能描述:MOSFET RF 3550MHZ 30W 12V HF-600 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFIC0001 制造商:MOTOROLA 制造商全稱(chēng):Motorola, Inc 功能描述:QUADRATURE MODULATOR INTEGRATED CIRCUIT
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