參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35010R1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-360HF, CASE 360D-02, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 11/11頁(yè)
文件大?。?/td> 367K
代理商： MRFG35010R1
MRFG35010R1
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 360D-02
ISSUE C
G
E
N (LID)
C
SEATING
PLANE
DIM
A
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
.795
.805
20.19
20.45
INCHES
B
.225
.235
5.72
5.97
C
.125
.176
3.18
4.47
D
.034
.044
0.89
1.12
E
.055
.065
1.40
1.65
F
.004
.006
0.10
0.15
G
.562 BSC
14.28 BSC
H
.077
.087
1.96
2.21
K
.085
.115
2.16
2.92
M
.355
.365
9.02
9.27
N
.355
.365
9.96
10.16
STYLE 1:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
1
2
3
Q
2 x
M
A
M
bbb
B M
T
NOTES:
1. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
2. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M1994.
3. DIMENSION H IS MEASURED .030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
Q
.125
.135
3.18
3.43
R
.225
.235
5.72
5.97
S
.225
.235
5.72
5.97
aaa
bbb
ccc
.005
0.13
.010
0.25
.015
0.38
M
A
M
bbb
B M
T
S
(INSULATOR)
K
2 x
B
(FLANGE)
D
2 x
M
A
M
bbb
B M
T
B
M
A
M
ccc
B M
T
H
R (LID)
F
M
A
M
ccc
B M
T
T
A
M
M
A
M
aaa
B M
T
(INSULATOR)
NI-360HF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFG35010 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35030R5 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35030R5 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MSA1022-CT1 UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MSA1022-CT3 UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRFG35010R5 功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35020AR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 3.5GHZ 20W GAAS NI360 SH RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFG35020AR5 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 20W GAAS NI360 SH RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35030R5 功能描述:MOSFET RF 3550MHZ 30W 12V HF-600 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFIC0001 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:QUADRATURE MODULATOR INTEGRATED CIRCUIT
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