參數(shù)資料
型號： MRFG35010AR5
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-360HF, CASE 360D-02, 2 PIN
文件頁數(shù)： 17/20頁
文件大?。?/td> 269K
代理商： MRFG35010AR5
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35010AR1 MRFG35010AR5
TYPICAL CHARACTERISTICS
NOTE: Data is generated from the test circuit shown.
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
40
2
14
20
0
60
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 5. Single-Carrier W-CDMA Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
40
12
10
8
20
24
30
28
32
36
6
10
Gps
ηD
4
50
40
60
20
30
10
IRL
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 6. Single-Carrier W-CDMA ACPR and
Input Return Loss versus Output Power
ACPR,
ADJACENT
CHANNEL
POWER
RA
TIO
(dBc)
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
30
40
50
15
24
28
32
20
25
VDS = 12 Vdc, IDQ = 140 mA, f = 3550 MHz, SingleCarrier
WCDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
36
VDS = 12 Vdc, IDQ = 140 mA, f = 3550 MHz
SingleCarrier WCDMA, 3.84 MHz
Channel Bandwidth, PAR = 8.5 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
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PDF描述
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