參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35010AR5
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-360HF, CASE 360D-02, 2 PIN
文件頁數(shù)： 12/20頁
文件大?。?/td> 269K
代理商： MRFG35010AR5
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35010AR1 MRFG35010AR5
Table 3. Electrical Characteristics (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Saturated Drain Current
(VDS = 3.5 Vdc, VGS = 0 Vdc)
IDSS
—
2.9
—
Adc
Off State Leakage Current
(VGS = -0.4 Vdc, VDS = 0 Vdc)
IGSS
—
< 1.0
100
μAdc
Off State Drain Current
(VDS = 12 Vdc, VGS = -2.2 Vdc)
IDSO
—
0.09
1.0
mAdc
Off State Current
(VDS = 28.5 Vdc, VGS = -2.5 Vdc)
IDSX
—
5.0
15
mAdc
Gate-Source Cut-off Voltage
(VDS = 3.5 Vdc, IDS = 15 mA)
VGS(th)
-1.2
-0.8
-0.7
Vdc
Quiescent Gate Voltage
(VDS = 12 Vdc, ID = 180 mA)
VGS(Q)
-1.2
-0.8
-0.7
Vdc
Functional Tests (In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) (1) VDD = 12 Vdc, IDQ = 140 mA, Pout = 1 W Avg., f = 3550 MHz,
Single-carrier W-CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth Carrier. ACPR measured in 3.84 MHz Channel Bandwidth @ ±5 MHz Offset. PAR =
8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain
Gps
9.0
10
—
dB
Drain Efficiency
hD
23
25
—
%
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
—
-43
-40
dBc
Typical RF Performance (In Freescale Test Fixture, 50 οhm system) VDD = 12 Vdc, IDQ = 140 mA, f = 3550 MHz
Output Power, 1 dB Compression Point, CW
P1dB
—
10
—
W
1. Measurements made with device in test fixture.
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PDF描述
MRFG35010R1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
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