參數(shù)資料
型號(hào): MRFG35010
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝: NI-360HF, CASE 360D-02, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù): 9/12頁(yè)
文件大?。?/td> 402K
代理商: MRFG35010
MRFG35010
6
MOTOROLA RF DEVICE DATA
f
MHz
Zsource
Zload
3500
3550
3600
4.3 – j16.3
4.1 – j15.8
4.2 – j16.0
5.7 – j7.0
5.7 – j6.8
5.7 – j6.6
VDD = 12 V, IDQ =180 mA, Pout = 1 W
Figure 6. Series Equivalent Input and Output Impedance
Zo = 25
Zload*
f = 3500 MHz
f = 3600 MHz
f = 3500 MHz
f = 3600 MHz
Zsource
Zsource = Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Z source
Z load
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFG35030R5 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35030R5 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
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MSA1022-CT3 UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRFG35010ANR5 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010ANT1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010AR1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010AR5 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010MR5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: