參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35010
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝： NI-360HF, CASE 360D-02, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大小： 402K
代理商： MRFG35010
MRFG35010
4
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 2. 3.4 – 3.6 GHz Test Circuit Component Layout
Rev-06
MRFG35010
VDD = 12 V
GND
CUT
OUT
AREA
OUTPUT
INPUT
Q1
C1
C2
C3
C4
C5
C6
C7
C8
C9
C10
C11
C12 D1
C13
C14
C15
C16
C17
C18
C19
C20
C21
R1
R2
R3 R4
R5
R6
R7
R9
R8
G
D
S
U1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFG35030R5 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35030R5 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MSA1022-CT1 UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MSA1022-CT3 UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MSB1218A-RT3 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRFG35010ANR5 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010ANT1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010AR1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010AR5 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010MR5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
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