參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35010
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-360HF, CASE 360D-02, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 350K
代理商： MRFG35010
Freescale Semiconductor
Wireless RF Product Device Data
MRFG35010
TYPICAL CHARACTERISTICS
NOTE: All data is referenced to package lead interface. ΓS and ΓL are the impedances presented to the DUT.
All data is generated from load pull, not from the test circuit shown.
1
9.5
13.5
13
12.5
12
11.5
11
10.5
10
0.1
0
80
Gps
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 3. Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
η D
η
D
70
60
50
40
30
20
10
VDS = 12 Vdc, IDQ = 180 mA
f = 3.55 GHz, 8.5 dB P/A 3GPP WCDMA
ΓS = 0.857é144.24_, ΓL = 0.798é164.30_
10
70
0
0.1
70
0
IRL
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 4. W-CDMA ACPR and Input Return Loss
versus Output Power
ACPR
(dBc)
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
10
20
30
40
50
60
1
VDS = 12 Vdc, IDQ = 180 mA
f = 3.55 GHz, 8.5 dB P/A 3GPP WCDMA
ΓS = 0.857é144.24_, ΓL = 0.798é164.30_
25
36
5
0
60
Pout
VDS = 12 Vdc, IDQ = 180 mA
f = 3.55 GHz, 8.5 dB P/A 3GPP WCDMA
ΓS = 0.857é144.24_, ΓL = 0.798é164.30_
Pin, INPUT POWER (dBm)
Figure 5. W-CDMA Output Power and Drain
Efficiency versus Input Power
34
32
45
30
28
30
26
24
15
22
20
10
15
20
P out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
η D
η
D
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PDF描述
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MRFG35010MR5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
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