參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35010
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-360HF, CASE 360D-02, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 350K
代理商： MRFG35010
Freescale Semiconductor
Wireless RF Product Device Data
MRFG35010
Gallium Arsenide PHEMT
RF Power Field Effect Transistor
Designed for WLL/MMDS or UMTS driver applications with frequencies from
1.8 to 3.6 GHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB or
Class A linear base station applications.
Typical W-CDMA Performance: -42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts,
IDQ = 180 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A
@ 0.01% Probability)
Output Power — 1 Watt
Power Gain — 10 dB
Efficiency — 30%
10 Watts P1dB @ 3.55 GHz
Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
High Gain, High Efficiency and High Linearity
Table 1. Maximum Ratings
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain-Source Voltage
VDSS
15
Vdc
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25°C
PD
28.3
0.19
W
W/°C
Gate-Source Voltage
VGS
-5
Vdc
RF Input Power
Pin
33
dBm
Storage Temperature Range
Tstg
-65 to +175
°C
Channel Temperature(1)
Tch
175
°C
Operating Case Temperature Range
TC
-20 to +90
°C
Table 2. Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
Class A
Class AB
RθJC
5.3
4.8
°C/W
1. For reliable operation, the operating channel temperature should not exceed 150°C.
Rev. 6, 12/2004
Freescale Semiconductor
Technical Data
3.5 GHz, 10 W, 12 V
POWER FET
GaAs PHEMT
MRFG35010
CASE 360D-02, STYLE 1
NI-360HF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFG9801 UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET
MRFG9801R UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET
MRW2005 S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
MRW2010 S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
MRW2020F S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRFG35010ANR5 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類(lèi)型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010ANT1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類(lèi)型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010AR1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類(lèi)型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010AR5 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類(lèi)型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010MR5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
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