參數(shù)資料
型號: MRFG35005MT1
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝: PLASTIC, CASE 466-02, PLD-1.5, 4 PIN
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大?。?/td> 158K
代理商: MRFG35005MT1
MRFG35005MT1
4
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 2. 3.5 GHz Test Circuit Component Layout
C18
C26
C21
C5
C6
C7
C25
C19
C20
C9 C8
C22
Rev 1
MRFG35005M
C24
C27
C29
C1
C23
C12
C2
C15
C3
C11
C10
C4
C16
C17
C14
R1
C28
C13
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFG35005NT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35010 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG9801 UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET
MRFG9801R UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET
MRW2005 S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRFG35005MT1_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35005NR5 功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35005NT1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35010 功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35010ANR5 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: