參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35005ANT1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 9/13頁(yè)
文件大?。?/td> 446K
代理商： MRFG35005ANT1
MRFG35005ANT1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
32
2
14
0
60
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 3. Single-Channel W-CDMA Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
22
18
10
8
6
4
50
40
30
20
10
η
D,
DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
28
12
20
24
26
30
Gps
32
60
5
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 4. Single-Channel W-CDMA Adjacent
Channel Power Ratio and IRL versus Output Power
22
18
20
30
40
10
15
20
25
30
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
ACPR,
ADJACENT
CHANNEL
POWER
RA
TIO
(dBc)
28
10
20
24
26
30
VDS = 12 Vdc, IDQ = 80 mA, f = 3550 MHz
SingleCarrier WCDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
ΓS = 0.852é115.6_, ΓL = 0.737é146.1_
IRL
ACPR
NOTE: All data is referenced to package lead interface. ΓS and ΓL are the impedances presented to the DUT.
All data is generated from load pull, not from the test circuit shown.
VDS = 12 Vdc, IDQ = 80 mA, f = 3550 MHz
SingleCarrier WCDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
ΓS = 0.852é115.6_, ΓL = 0.737é146.1_
50
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PDF描述
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