參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35005ANT1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/13頁(yè)
文件大?。?/td> 446K
代理商： MRFG35005ANT1
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35005ANT1
Table 5. Electrical Characteristics (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Saturated Drain Current
(VDS = 3.5 Vdc, VGS = 0 Vdc)
IDSS
—
1.7
—
Adc
Off State Leakage Current
(VGS = -0.4 Vdc, VDS = 0 Vdc)
IGSS
—
< 1
100
μAdc
Off State Drain Current
(VDS = 12 Vdc, VGS = -2.5 Vdc)
IDSO
—
1
600
μAdc
Off State Current
(VDS = 28.5 Vdc, VGS = -2.5 Vdc)
IDSX
—
< 1
9
mAdc
Gate-Source Cut-off Voltage
(VDS = 3.5 Vdc, IDS = 8.7 mA)
VGS(th)
-1.2
-0.95
-0.7
Vdc
Quiescent Gate Voltage
(VDS = 12 Vdc, ID = 105 mA)
VGS(Q)
-1.1
-0.85
-0.6
Vdc
Functional Tests (In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD = 12 Vdc, IDQ = 80 mA, Pout = 450 mWatts Avg., f = 3550 MHz,
Single-Carrier W-CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth Carrier. ACPR measured in 3.84 MHz Channel Bandwidth @ ±5 MHz Offset.
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain
Gps
10
11
—
dB
Drain Efficiency
hD
22
26
—
%
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
—
-44
-39
dBc
Typical RF Performance (In Freescale Test Fixture, 50 οhm system) VDD = 12 Vdc, IDQ = 80 mA, f = 3550 MHz
Output Power, 1 db Compression Point, CW
P1dB
—
4.5
—
W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFG35005MT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35010AR5 C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
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參數(shù)描述
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