參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35003NT1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 466-03, PLD-1.5, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大?。?/td> 129K
代理商： MRFG35003NT1
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
MRFG35003NT1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
NOTE: All data is referenced to package lead interface. ΓS and ΓL are the impedances presented to the DUT.
All data is generated from load pull, not from the test circuit shown.
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 3. W-CDMA ACPR and Input Return
Loss versus Output Power
1
60
0
0.01
60
0
IRL
ACPR
(dBc)
VDS = 12 Vdc, IDQ = 50 mA
f = 3.55 GHz, 8.5 P/A 3GPP WCDMA
ΓS = 0.813é106.27_, ΓL = 0.734é142.65_
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
10
20
30
40
50
0.1
1
2
18
0.01
5
45
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 4. Transducer Gain and Power Added
Efficiency versus Output Power
G
T
,TRANSDUCER
GAIN
(dB)
PAE,
POWER
ADDED
EFFICIENCY
(%)
GT
PAE
VDS = 12 Vdc, IDQ = 50 mA
f = 3.55 GHz, 8.5 P/A 3GPP WCDMA
ΓS = 0.813é106.27_, ΓL = 0.734é142.65_
16
40
14
35
12
30
10
25
820
615
410
0.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFG35005MT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
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參數(shù)描述
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