參數(shù)資料
型號： MRFE6VP8600HR6
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-1230, CASE 375D-05, 4 PIN
文件頁數(shù)： 8/20頁
文件大小： 777K
代理商： MRFE6VP8600HR6
16
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6VP8600HR6 MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HSR6 MRFE6VP8600HSR5
相關PDF資料
PDF描述
MRFG35002N6AT1 C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35002N6T1 C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
MRFG35003MT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
MRFG35005ANT1 C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35005MT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MRFE6VP8600HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 600W NI1230S 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6VP8600HSR6 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 600W NI1230S 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6VS25GNR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6E 25W50V TO270-2G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6VS25LR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6E 25W50V NI360L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6VS25N 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistor
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