參數(shù)資料
型號： MRFE6S9201HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, CASE 465A-06, NI-780S, 3 PIN
文件頁數(shù)： 12/13頁
文件大?。?/td> 487K
代理商： MRFE6S9201HSR3
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9201HR3 MRFE6S9201HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
400
16
0
70
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD = 28 Vdc
IDQ = 1400 mA
f = 880 MHz
TC = 30_C
25
_C
85
_C
10
23
22
21
20
19
50
40
30
20
10
η
D,
DRAIN
EFFICIENCY
(%)
Gps
ηD
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
100
30
_C
25
_C
85
_C
18
17
1
60
Figure 12. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
VDD = 24 V
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
350
18
22
0
19
20
21
IDQ = 1400 mA
f = 880 MHz
50
100
200
28 V
32 V
150
250
300
250
108
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 13. MTTF versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD = 28 Vdc, Pout = 40 W Avg., and ηD = 31.3%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
calculators by product.
107
106
105
110
130
150
170
190
MTTF
(HOURS)
210
230
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PDF描述
MRFE6S9201HR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6S9205HSR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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MRFE6VP5600HSR6 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6VP5600HR6 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
MRFE6S9201HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 200W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9205HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 200W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9205HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 200W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9205HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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