參數(shù)資料
型號(hào)： MRFE6S9201HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, CASE 465A-06, NI-780S, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 10/13頁(yè)
文件大?。?/td> 487K
代理商： MRFE6S9201HSR3
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9201HR3 MRFE6S9201HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
ACPR
(dBc),
AL
T1
(dBc)
25
0
5
10
15
960
800
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance
@ Pout = 40 Watts Avg.
940
920
900
880
860
840
820
12
22
21
20
19
18
17
16
65
40
35
30
25
40
45
50
55
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
VDD = 28 Vdc, Pout = 40 W (Avg.)
IDQ = 1400 mA, NCDMA IS95 Pilot
Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13
15
14
13
20
60
20
ALT1
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
ACPR
(dBc),
AL
T1
(dBc)
25
0
5
10
15
960
800
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance
@ Pout = 84 Watts Avg.
940
920
900
880
860
840
820
12
22
21
20
19
18
17
16
50
30
20
30
40
45
50
55
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
15
14
13
35
60
20
ALT1
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
100
23
1
IDQ = 2100 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
700 mA
1050 mA
22
21
20
10
400
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
19
18
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
10
1
IDQ = 700 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
1050 mA
100
20
30
40
400
70
50
10
INTERMODULA
TION
DIST
ORTION
(dBc)
IMD,
THIRD
ORDER
VDD = 28 Vdc, Pout = 84 W (Avg.)
IDQ = 1400 mA, NCDMA IS95 Pilot
Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13
1400 mA
1750 mA
VDD = 28 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
TwoTone Measurements
60
VDD = 28 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
TwoTone Measurements
1750 mA
1400 mA
2100 mA
40
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